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整平如采用旋轉臺磨床，雖然加工效率較高，但是一次只能研磨一件，適合
ATM-PNT-2112-012 SiC2晶體試磨案-掏棒外徑平面-加工測試報告
1.目前在第三代半導體晶片，大部分采用單晶SIC，透明度較高的屬于處理
器晶片，含碳量較高比較黑的SIC，屬于功率元件晶片。
4”晶圓的毛胚晶砣外徑大約6"(150mm)，掏料的鉆石刀具內徑約103mm。所
以掏料崩邊1-1.5mm都還是被允許，兩端面整平也大概要加工掉1-1.5mm。
研磨外徑時基本沒有崩邊，只能算是有毛刺。晶棒初整形完成之后，進行切
片，切片完成之后，每一片都需要經過整平、減薄、拋光、清洗，
反覆工程之后才完成Wafer。
2.以上制程在4”方面基本都是比較成熟，也在逐步優(yōu)化提升良率。6”的部
份目前不良率較高，持續(xù)精進中!當然8”的晶砣也持續(xù)在優(yōu)化制程以及良率
。
第三代半導體我想依然會在多年之后，與SI晶圓一樣以12”為主，甚至進化
到16”-18”。
(6”晶砣只能掏出4”晶棒，8”晶砣估計也只能掏出6”晶棒)
3.加工的難度在于，刀具是鉆石刀具，工件硬度接近鉆石(莫適硬度約9.5)
，但是脆度又高于鉆石。此次測試最主要是要找到合適的鉆石刀具的外型、
燒結方式等條件。一次測試刀具就廢掉幾萬臺幣的費用，但是希望對于FVGC
的推展有所助益。
附加檔案提供您一個初成形的制程圖，以方便理解!
目前單晶SIC長晶4”制程已經成熟，厚度大概只有不到30mm，預計可以切
割成20-25片晶圓。目前SIC長晶繼續(xù)朝厚度以及直徑6”晶砣發(fā)展。
切削測試報告是以FVGC-50S試加工(掏棒)4”晶圓，研磨外圓為主。兩端面
整平建議采用平面磨床研磨，一次可以6-8個一盤為原則，反面整平。?
整平如采用旋轉臺磨床，雖然加工效率較高，但是一次只能研磨一件，適合
于8”以上晶砣或晶片研磨。?
測試報告中主軸并未采用超聲波主軸，由于單晶SIC的硬度類鉆石，脆度更
高!如采用超聲波應是效果會更好!
