SK 海力士剛剛宣布已成功完成面向 AI 的超高性能存儲器新產(chǎn)品 HBM4 的開發(fā)，并在全球范圍內(nèi)率先構(gòu)建了量產(chǎn)體系。

SK 海力士表示：“公司成功開發(fā)將引領人工智能新時代的 HBM4，并基于此技術(shù)成果，在全球首次構(gòu)建了 HBM4 的量產(chǎn)體系。此舉再次向全球市場彰顯了公司在面向 AI 的存儲器技術(shù)領域的領導地位。”

IT之家注：高帶寬存儲器（HBM，High Bandwidth Memory）垂直連接多個 DRAM，相比現(xiàn)有的 DRAM 可顯著提升數(shù)據(jù)處理速度，目前已推出六代產(chǎn)品 ——HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E、HBM4。

據(jù)海力士介紹，全新的 HBM4 采用了較前一代產(chǎn)品翻倍的 2048 條數(shù)據(jù)傳輸通道，將帶寬擴大一倍，同時能效也提升 40% 以上。憑借這一突破，該產(chǎn)品實現(xiàn)了全球最高水平的數(shù)據(jù)處理速度和能效。

公司預測，將該產(chǎn)品引入客戶系統(tǒng)后，AI 服務性能最高可提升 69%，這一創(chuàng)新不僅能從根本上解決數(shù)據(jù)瓶頸問題，還可顯著降低數(shù)據(jù)中心電力成本。

與此同時，此次 HBM4 實現(xiàn)了高達 10Gbps 以上的運行速度，這大幅超越 JEDEC 標準規(guī)定的 8Gbps。

據(jù)介紹，公司在 HBM4 的開發(fā)過程中采用了產(chǎn)品穩(wěn)定性方面獲得市場認可的自主先進 MR-MUF 技術(shù)和第五代 10 納米級（1b）DRAM 工藝，最大程度地降低其量產(chǎn)過程中的風險。