近日中科無線半導(dǎo)體發(fā)布“機(jī)器人運(yùn)動(dòng)控制開發(fā)平臺(tái)”，該平臺(tái)是基于中科半導(dǎo)體自主研發(fā)的“機(jī)器人關(guān)節(jié)運(yùn)動(dòng)控制系列”CT-1902、CT-1908“分級(jí)集成”與CT-1906“三相半橋拓?fù)洹钡壖呻娐沸酒O(shè)計(jì)，專業(yè)為開發(fā)者搭建的“小腦運(yùn)動(dòng)控制信號(hào)及FOC多脈沖開關(guān)損耗”實(shí)驗(yàn)環(huán)境。真正做到把“底層驅(qū)動(dòng)”復(fù)雜封裝，將“上層創(chuàng)新”留給開發(fā)者。

中科無線半導(dǎo)體在機(jī)器人運(yùn)動(dòng)控制芯片領(lǐng)域的國產(chǎn)化進(jìn)程，是一次從技術(shù)追趕到局部領(lǐng)先的成功實(shí)踐。它標(biāo)志著我國機(jī)器人專用芯片不再局限于國外進(jìn)口，已有能力在高端、高附加值的細(xì)分市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)技術(shù)替代。

通過該平臺(tái)可以模擬出機(jī)器人關(guān)節(jié)運(yùn)動(dòng)控制中的動(dòng)能損耗、設(shè)計(jì)缺陷和關(guān)節(jié)散熱優(yōu)化與聲子傳能仿真設(shè)計(jì)問題，便于精準(zhǔn)的匹配通用化“AI運(yùn)動(dòng)控制物理模型”。依托中科半導(dǎo)體CT-1902、CT-1906 、CT-1908氮化鎵（GaN）集成電路，高性能機(jī)器人運(yùn)動(dòng)控制芯片能力，相比傳統(tǒng)的硅基MOSFET，它具有開關(guān)頻率高、導(dǎo)通電阻小、體積小的優(yōu)勢(shì)，帶來了機(jī)器人動(dòng)力輸出的革命性提升。

通過該測(cè)試平臺(tái)模擬出開發(fā)者對(duì)后期不同尺寸的關(guān)節(jié)電路板由于寄生電感導(dǎo)致電壓過沖和開關(guān)損耗問題。利用這些測(cè)試數(shù)據(jù)比較，對(duì)后期定制高能效小型化“關(guān)節(jié)”執(zhí)行器起到降低環(huán)路熱阻，減少關(guān)節(jié)發(fā)熱和高能效設(shè)計(jì)的關(guān)鍵性作用，同時(shí)縮短了產(chǎn)品開發(fā)和上市的時(shí)間。

中科機(jī)器人動(dòng)力系統(tǒng)芯片開發(fā)平臺(tái)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了極致實(shí)時(shí)性，通過“GaN鎵集成芯片技術(shù)”實(shí)現(xiàn)了高效能動(dòng)力輸出和“模塊化設(shè)計(jì)”的強(qiáng)大能力，以簡(jiǎn)易使用的方式交付給開發(fā)者，使其成為機(jī)器人開發(fā)者突破機(jī)器人“關(guān)節(jié)”執(zhí)行器性能瓶頸、快速實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新想法的高效仿真工具。你還可以借助中科半導(dǎo)體現(xiàn)有的“動(dòng)力系統(tǒng)芯片”的能力，使你的“關(guān)節(jié)”執(zhí)行器產(chǎn)品能快速實(shí)現(xiàn)在機(jī)器人中的應(yīng)用和感受人工智能帶來的魅力和體驗(yàn)。

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